proximity effect

• mikrofonlarda, ozellikle vokal mikrofonlarinda, ses kaynaginin mikrofona mesafesinin degi$mesine bagli olarak bas seslere kar$i tepkinin degi$mesidir. misal, $arki soylerken bu efekti kullanarak daha sicak ve bas bir ses icin $arkici mikrofona yakla$malidir, vice versa.
• (bkz: the proximity effect) (bkz: nada surf)
• proximity effect, mikrofon ses kaynağına çok yakın oldugunda görülen, hemen hepimizin bilgisayara sesimizi kaydetmeye çalışırken karşılaştığımız bir etkidir. kaynak ile mikrofon arasındaki mesafe kısaysa, düşük frekanslar fazlaca vurgulanmaya başlarlar; ses patlak patlak gelir. sebebi, ses dalgalarının mikrofonun titreşen yüzeyi çevresinde bir tür üstüste binme (süperpozisyon) meydana getirmeleridir. kaliteli mikrofonlarda bu etkiyi önleyecek yüksek geçiren filtreler bulunur.
• kaynak ses, mikrofona yaklaştıkça bas frekanslar mesafenin karesi oranında artar, o derece yani.
  kayıt yapılan odada sorun yoksa mikrofondan makul bir derece uzakta durmak sureti ile sorun halledilir. afiyet olsun.
• bu efekt mikrofonun karakterine gore sukela ya da rezalet sonuclar dogurur. omni directional mikrofonlarda bu olay gorulmez, hyper cardioid mikrofonlarda abarir.
• (bkz: proximity sensor)
• genelde pressure gradient mikrofonlarda olur kötü sonuçlar da doğurabilceği için bazı mikrofonlar low-cut denilen tuş vardır bas frakanlarını törpüler biraz.
• çok can sıkıcı olduğunda mikrofonun portuna bant çekebilirsiniz ancak aldığınız sinyalin topyekün ağzına sıçabilir bu çözüm. mikrofonun iyi bir low cut fonksiyonun olması proximity effectin fabrika çıkışı çözümüdür aslında.
• güç elektroniğinde yüksek frekans trafo tasarımı yapılırken dikkate alınması gereken en önemli tasarım detayıdır. kısaca anlatmak gerekirse yüksek frekans akım taşıyan iletkenlerde akım yoğunluğu (bkz: current density) iletkenin çeperine doğru geometrik olarak büyür. çeperdeki akımın oluşturduğu manyetik alanın diğer iletkenlere olan etkisi tam olarak proximity effect olarak adlandırılır. akım geçen iletkenin yanındaki iletkenlerin merkezlerindeki manyetik alan ters bir manyetik alan oluşturma isteği olur ve bunu eddy current ile yaparlar. örneğin ilk iletken (i) kadar akım taşıyor olsun. hemen yanında h büyüklüğünde bir manyetik alan oluştursun. yandaki iletkende bu manyetik alanı merkezinde yok etmek için ters yönde bir manyetik alan oluşturan eddy current olacaktır. net current 0 ise bu eddy current'ı sıfırlayacak ters yönde yine bir eddy current oluşacak.
  ilk iletkende ac kayıplarımız p kadar iken hemen dibindeki diğer iletkende ac kayıplarımız akım taşımadığı halde 2p kadar oldu. akım taşıdığı senaryoda ise (yine aynı iletken olsun, akım i) bir anda ac kayıplarımız 5p olur, ve 2.iletkenin oluşturacağı manyetik alan büyüklüğü 2h kadar olacak. 3.iletken bu manyetik alana ters 2i büyüklüğünde bir eddy current oluşturacak. yine bu eddy current net current'ını sıfırlamak için 2i yönünde diğer yönde akım olacak ve bir de iletkenin taşımak istediği esas akımı hesaba katınca toplam kaybımız 3.iletken için 13p olacak. aynı hesaptan 4. iletken için 25p, 5. iletken için 41p ve 6. iletken için 51p kadar bir ac kayıp olacak.
  eğer proximity effect söz konusu olmasaydı skin effect'ten kaynaklı ac kayıplarımız sadece 6p olacaktı. şimdi ise 146p oldu. bu hesaplar kablo kesitinin skin depth(sigma)'ten çok yüksek olduğu sinüs dalgalar için yapılmıştır lakin ac resistance hesabında proximity effect'in önemi konusunda bize fikir veriyor. proximity effect'in etkisinin çok azaltılacağı senaryolar vardır. bunlardan en önemlisi için (bkz: interleaving)